8月4日，存储芯片概念上涨。截至收盘，深南电路、生益科技、红板科技、博杰股份、正帆科技、快克智能、三孚股份、圣泉集团、中京电子10%涨停，协创数据、深科达、英唐智控、京仪装备、蓝晓科技、鼎龙股份等涨幅居前。
消息面上，8月4日，SK海力士全球新闻中心发布消息称，SK海力士联手闪迪共同发布下一代存储技术HBF的首个标准规范。闪迪也通过公司官网发布了这一消息。此次发布正值当地时间8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举办的“闪存峰会2026”开幕。公司计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。
HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。
此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1—3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
SK海力士表示，公司计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。
数据显示，全球存储芯片连续三季度涨价，7月销售额达746亿美元创历史新高，SK海力士二季度利润飙升并大幅扩充HBM产能，长鑫存储LPDDR6已进入送样阶段，小米也因存储成本飙升上调9款机型售价，产业链量价齐升信号明确。
国泰海通分析指出，伴随国内算力芯片、超节点的不断发展，国内先进封装和测试产能需要扩产，以满足国内算力芯片设计公司不断增长的先进封装测试需求。
东吴证券认为，AI算力基础设施建设正推动存储进入“超级周期”，Server DRAM供需紧平衡有望持续至2027年，同时3D DRAM商业化放量将激发端侧AI新需求，国产DRAM扩产也将带动产业链景气度系统性抬升。 分析师指出，Fabless轻资产模式赋予芯片设计企业强经营杠杆，产品放量阶段利润弹性显著，当前EPS的快速修复正在消化高PB压力。
存储芯片概念相关股票：深南电路、生益科技、红板科技、博杰股份、正帆科技、快克智能、三孚股份、圣泉集团、中京电子。
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责任编辑：刘栩
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