9月19日，截至午间收盘，碳化硅概念股表现活跃，天富能源、天通股份涨停，东尼电子、晶升股份、天岳先进、晶盛机电等跟涨。
消息面上，日前，华为公布两项专利，均涉及碳化硅散热，包括《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》，两项专利均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。其中，前者应用领域包括电子元器件的散热和封装芯片，后者应用领域包括电子元器件、电路板。
除此之外，此前英伟达在其新一代Rubin处理器设计中，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能，并预计2027年开始大规模采用。
碳化硅材料具有优异的导热性能，仅次于金刚石。公开资料显示，碳化硅热导率达500W/mK，相比之下，硅的热导率仅为约150W/mK，陶瓷基板热导率约200W/mK~230W/mK。此外，碳化硅热膨胀系数与芯片材料高度契合，既能高效散热，又能保障封装稳定性。
据数据宝统计，今年9月份以来，多只碳化硅概念股获融资资金加仓，通富微电、露笑科技、天岳先进、英唐智控、天通股份获加仓金额均超过3亿元。
碳化硅应用领域从电力电子扩展到封装散热，打开了市场增量空间。东吴证券测算，以当前英伟达H100 3倍光罩的2500mm²中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76190张衬底需求。
责任编辑：荣晓敏
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