通富微电:在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发 2022-12-21 11:04 array(1) { [469410]=> array(2) { [2]=> array(2) { [0]=> string(12) "通富微电" [1]=> string(4) "DRAM" } [4]=> array(1) { [0]=> string(19) "同花顺7x24快讯" } } } 同花顺7x24快讯 0 通富微电12月21日在互动平台表示,在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产,同时在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发,助推公司进阶成为更有竞争力的存储器封装企业。
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