中国台湾电子时报消息，韩媒29日指出，三星电子将于6月30日开始率先量产环绕闸极技术(GAA)架构的3纳米工艺。该报导指出，三星将于本周四宣布开始大规模生产3纳米芯片，率先量产环绕闸极技术(GAA)架构的3纳米工艺，期许透过押宝的新世代工艺，一举超越台积电，取得市占领先地位。三星押宝的GAA技术为新世代工艺，能以更小的体积实现更好的功耗表现，可将芯片面积减少多达45%，同时性能提高30%，功耗降低50%，将为芯片业带来另—次重大设计转折。
中国台湾电子时报消息，韩媒29日指出，三星电子将于6月30日开始率先量产环绕闸极技术(GAA)架构的3纳米工艺。该报导指出，三星将于本周四宣布开始大规模生产3纳米芯片，率先量产环绕闸极技术(GAA)架构的3纳米工艺，期许透过押宝的新世代工艺，一举超越台积电，取得市占领先地位。三星押宝的GAA技术为新世代工艺，能以更小的体积实现更好的功耗表现，可将芯片面积减少多达45%，同时性能提高30%，功耗降低50%，将为芯片业带来另—次重大设计转折。
请输入验证码