据中国台湾电子时报消息,3D NAND200层堆栈以上赛局加速展开,继存储器大厂美光(Micron)提出业界首家232层堆栈3DNAND Flash将于2022年底前率先量产,近日市场传长江存储将跳过原定192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子等。
据中国台湾电子时报消息,3D NAND200层堆栈以上赛局加速展开,继存储器大厂美光(Micron)提出业界首家232层堆栈3DNAND Flash将于2022年底前率先量产,近日市场传长江存储将跳过原定192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子等。
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