华为将在VLSI Symposium2022(6月12日~17日在夏威夷举行)上发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,进行各种有关内存的演示。报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管3D DRAM技术,具有出色的温度稳定性和可靠性。(IT之家)
华为将在VLSI Symposium2022(6月12日~17日在夏威夷举行)上发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,进行各种有关内存的演示。报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管3D DRAM技术,具有出色的温度稳定性和可靠性。(IT之家)
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