业内人士透露,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。据《电子时报》报道,上述人士表示,推出192层3D NAND闪存芯片,是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。(爱集微)
业内人士透露,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。据《电子时报》报道,上述人士表示,推出192层3D NAND闪存芯片,是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。(爱集微)
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