中天弘宇发布先进存储技术 实现中国存储器底层技术零的突破

　　英唐智控今日官微消息：8月22日，英唐智控合作伙伴中天弘宇举行先进存储技术发布会。该技术由传统的“热电子注入”(CHE)升级为“二次电子倍增注入浮栅”，并创造性地对闪存存储单元结构进行了重构，使新的存储单元突破短沟道穿通的世界性难题、并兼容标准的逻辑制程。中国工程院院士倪光南指出，本次发布的先进存储技术是一项重大发明，实现了中国存储器底层技术零的突破。英唐智控董事长受邀出席发布会，英唐智控于2020年11月与中天弘宇签署《合作协议》。英唐智控表示，本次发布会的成功召开，将有望加快推进双方的合作进程。