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海力士半导体:采用 EUV 技术的第 4 代 10nm 级 DRAM 全面量产

  12日,海力士半导体(SK hynix)表示,已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的8Gigabit(Gb) LPDDR4移动端DRAM产品。此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。(海力士半导体官网)

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